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Ce procédé permet de réaliser de manière générique des inductances planaires classiques ainsi qu'un empilement de plusieurs bobines connectées entre elles ou non, sur un substrat silicium. Un procédé technologique basé sur les techniques MEMS de résine épaisse et de croissance électrolytique de cuivre, a été développé pour valider les modélisations précédentes. Les simulations ont démontrées qu'une marge de manoeuvre existait, permettant une optimisation des performances électriques des composants. Dans le but, de dépasser ces limites, nous nous sommes intéressés à l'association série/parallèle d'inductances magnétiquement couplées. Il est alors apparu que les dimensions géométriques nécessaires à l'accompl issement du cahier des charges précédent (notamment l'objectif de très faible résistance), se heurtaient aux limites des possibilités de réalisation technologiques (facteur de forme des conducteurs, résolution spatiale).

L'étude des phénomènes physiques liés au caractère inductif et résistif de spirales planaires à partir d'équations et d'une définition géométrique normalisée du composant a abouti vers la mise en place d'outils d'étude numérique permettant d'analyser les liens entre les paramètres géométriques et les paramètres électriques du composant. Pour ces raisons de compacité et pour garantir une plage fréquentielle de fonctionnement suffisante, nous avons travaillé avec des structures inductives planaires spirales, similaires par la forme à celles utilisées dans le domaine de l'intégration pour les radiofréquences (RF). L'objectif aujourd'hui est de réaliser une inductance de 12H capable de supporter 1W avec des tensions de l'ordre du volt, dans une gamme de fréquence allant de 1MHz à 10MHz. Ces réalisations font appel aux techniques de réalisation microélectroniques, tel la croissance électrolytique, pour le dépôt des matériaux avec des épaisseurs contrôlées.

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De nombreuses équipes travaillent depuis plus de trente ans sur le problème de l'intégration de composants magnétiques sur silicium. Toutefois, la réalisation de tels composants pose actuellement un réel défi technologique. L'intégration monolithique des composants des convertisseurs de puissance est une des solutions plausibles. De plus, face à la demande de systèmes rapides, à faible encombrement et finement régulés, les fréquences de commutation tendent naturellement à augmenter. Le dimensionnement et la réalisation d'éléments passifs magnétiques intégrés, pour le stockage d'énergie à l'échelle de la commutation y est abordé pour tenir compte de la taille, la position de l'alimentation de puissance par rapport au système à alimenter ainsi que de son rendement et sa densité de puissance.

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Device driver and application developers can easily use this object oriented approach to make the embedded system more power efficient, easy to maintain, and faster to developĬette thèse se place dans le contexte d'alimentation des systèmes électroniques nomades fonctionnant sous faible tension et faible courant. We also recommend the interfaces for interactions between PM and the devices power manager, as well as PM and application power manager. We recommend that PM must be implemented at operating system level in any embedded device. We present relationship and interactions of these managers with each using Unified Modeling Language (UML) class diagrams, sequence diagrams and state charts. In this paper, we provide abstracted concepts of a system power manager (PM), device power managers, and application power managers.

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Real-time-operating-system (RTOS) has a comprehensive set of power management application programming interfaces (APIs) for both device drivers and applications within a power management component. This can significantly reduce the energy consumption by the system.

Therefore, it is logical to place algorithms that place components not being used into lower power states. OS contains specific and accurate information about the various tasks being executed. If power management policy is applied in OS, then developers can concentrate only on application development. Power management systems for embedded devices can be developed in operating system (OS) or in applications.

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